Acoperire cu carbură de tantal CVD (TaC).

Acoperirea cu TaC este de obicei luată în considerare atunci când SiC începe să își atingă limitele. Acest lucru se întâmplă mai des în epitaxia SiC sau în creșterea cristalelor, unde atât temperatura, cât și atmosfera de proces sunt mai solicitante.

Cu un punct de topire mult mai ridicat, TaC suportă mai bine expunerea mai lungă la temperaturi ridicate, în special în medii cu hidrogen sau HCl. În practică, acest lucru face diferența în procese precum creșterea PVT, unde stabilitatea termică afectează direct calitatea cristalului.

Aplicațiile tipice includ inele de ghidare a fluxului, suporturi pentru semințe, piese aferente creuzetului și alte structuri din interiorul câmpului termic. Aceste componente sunt expuse la condiții dure pentru perioade lungi de timp, așa că reducerea degradării devine importantă. În unele configurații, TaC înlocuiește treptat materialele mai vechi, cum ar fi pBN, și chiar unele piese acoperite cu SiC, deși acest lucru depinde încă de cost și de proiectarea procesului.