EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Suceptorul de napolitane acoperite cu SiC
Detaliu rapid:
Scop: Conceput special pentru procese CVD (1000°C - 1400°C) și PVD la temperatură înaltă pentru semiconductori, oferă o platformă stabilă de suport pentru napolitane.
Parametrii miezului: Rugozitatea suprafeței Ra < 0.5 μm; duritate ridicată (>2500 HV); coeficientul de dilatare termică (CTE) este adaptat cu precizie (≈ 2.6 x 10⁻⁶/K), eliminând complet deformarea sau alunecarea plachetei cauzate de stresul termic.
Descriere
Semixlab oferă un susceptor de napolitane de înaltă performanță. Acest produs este utilizat în principal pentru echipamentele CVD PVD pentru semiconductori, pentru a oferi suport napolitanelor și a preveni orice deteriorare și căderi accidentale cauzate de fluxul de azot.
Baza de carbură de siliciu acoperită cu SiC (susceptor acoperit cu SiC) este utilizată pe scară largă în semiconductori datorită caracteristicilor sale, cum ar fi rezistența la temperaturi ridicate, rezistența la coroziune, puritatea ridicată și poluarea redusă a napolitanelor.
Aplicare:
Special conceput pentru procese CVD (depunere de vapori de carbon) pentru semiconductori (1000°C - 1400°C) și PVD la temperatură înaltă, oferă o platformă stabilă de suport pentru napolitane.
Caracteristici principale:
Stabilitate remarcabilă la temperaturi ridicate: Rezistă la temperaturi extreme de peste 1400°C, asigurând o poziționare precisă a plachetei fără nicio abatere.
Protecție super puternică: Rezistă eficient impactului fluxului de azot >10 m/s și căderilor accidentale, oferind protecție maximă pentru plachetă.
Durabilitate remarcabilă: Acoperirea cu SiC oferă o duritate ridicată (>2500 HV) și rezistență la coroziune, prelungind durata de viață.
High-purity surface: Surface roughness Ra < 0.5 μm, reducing the risk of particle contamination.
Bază de silicon (susceptor de siliciu)
Application: Suitable for high-temperature processes of silicon wafers with extremely high requirements for thermal matching (such as epitaxial growth, <1200°C).
Caracteristici principale:
● Potrivire termică perfectă: În concordanță cu materialul plachetei (siliciu monocristalin), coeficientul de dilatare termică (CTE) este adaptat cu precizie (≈ 2.6 x 10⁻⁶/K), eliminând complet deformarea sau alunecarea plachetei cauzate de stresul termic.
● Livrare rapidă: Ciclul de livrare al produselor standard este redus semnificativ, ajungând la doar 4-6 săptămâni (față de 8-12 săptămâni pentru bazele SiC).
● Puritate ridicată: Îndeplinește standardele materialelor de siliciu de calitate semiconductoare.
● Surface quality: Precisely polished, surface roughness Ra < 0.2 μm.
Specificații
| Proprietățile fizice de bază ale acoperirii CVD SiC | |
| Proprietatea | Valoare tipica |
| Structură cristalină | FCC policristalină în fază β, orientată în principal (111). |
| Densitate | 3.21 g / cm³ |
| Duritate | Duritate 2500 Vickers (încărcare 500g) |
| Marimea unui bob | 2 ~ 10μm |
| Puritate chimică | 99.99995% |
| Capacitate de căldură | 640 J·kg-1·K-1 |
| Temperatura de sublimare | 2700 ℃ |
| Rezistență la încovoiere | 415 MPa RT în 4 puncte |
| Young’s Modulus | 430 Gpa 4 pt îndoire, 1300 ℃ |
| Conductivitate termică | 300W·m-1·K-1 |
| Expansiune termică (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Aplicatii
Susceptor de grafit de creștere a stratului epitaxial SiC.
Deviația de intrare a gazului și controlul câmpului termic în cuptorul de creștere epitaxială de SiC.
Magazin de produse Semixlab
