EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Baie de cuarț semiconductor
Detaliu rapid:
1.Alte nume: rezervor de cuarț semiconductor, baie de cuarț pentru semiconductor, rezervor de cuarț pentru semiconductor.
2.Aplicație: Baia de cuarț cu semiconductor este o componentă de înaltă puritate, rezistentă la coroziune, concepută special pentru curățarea de precizie și procesarea chimică în fabricarea semiconductoarelor. Proiectată pentru compatibilitatea cu sistemul WS-620C/ WS-820C/ WS-820L, această baie de cuarț funcționează în condiții de temperatură înaltă (până la 175°C) și este optimizată pentru utilizarea cu soluții de acid fosforic (H₃PO₄), asigurând performanțe excepționale în procesele critice de curățare a plachetelor.
3. Parametri de bază:
Cuarț topit (>99.99% SiO₂).
Inerție chimică excepțională față de H₃PO₄ (acid fosforic) la temperaturi ridicate, prevenind degradarea sau generarea de particule.
Rezistă la funcționare continuă la 160°C și la temperaturi de vârf de 175°C, menținând integritatea structurală și stabilitatea dimensională.
Descriere
Baia de cuarț semiconductor este o componentă de înaltă puritate, rezistentă la coroziune, concepută special pentru curățarea de precizie și procesarea chimică în fabricarea semiconductoarelor. Proiectată pentru compatibilitatea cu sistemul WS-620C/ WS-820C/ WS-820L, această baie de cuarț funcționează în condiții de temperatură înaltă (până la 175°C) și este optimizată pentru utilizarea cu soluții de acid fosforic (H₃PO₄), asigurând performanțe excepționale în procesele critice de curățare a plachetelor.
Caracteristici cheie
Superioritatea materială
Cuarț de înaltă puritate: Fabricat din cuarț topit sintetic (>99.99% SiO₂), asigurând o contaminare minimă și rezistență la șoc termic.
Rezistența la acid
Inerție chimică excepțională față de H₃PO₄ (acid fosforic) la temperaturi ridicate, prevenind degradarea sau generarea de particule.
Stabilitate termică
Rezistă la funcționarea continuă la 160°C și la temperaturi de vârf de 180°C, menținând integritatea structurală și stabilitatea dimensională.
Beneficii de performanță
Controlul contaminării: Finisajul suprafeței ultra-neted minimizează aderența particulelor, esențial pentru procesele cu noduri de semiconductori sub-micron.
Longevitate: Rezistența cuarțului la coroziunea acidă și la oboseala termică prelungește durata de viață, reducând timpul de nefuncționare și costurile de întreținere.
Consecvența procesului: Conductivitatea termică stabilă asigură distribuția uniformă a temperaturii, sporind eficiența curățării și repetabilitatea.
De ce să alegeți baia cu cuarț semiconductor de la Semixlab?
Calitate de calitate semiconductoare: Produs într-un mediu de cameră curată pentru a îndeplini standardele SEMI.
Soluții personalizate: modele personalizate disponibile pentru a se potrivi cerințelor specifice procesului.
Fiabilitate: Testarea riguroasă a calității asigură conformitatea cu cerințele industriei semiconductorilor.
Specificații
| Proprietate mecanică | Densitate (g/cm3) | 2.2 |
| Duritatea lui Mohs | 6-7 | |
| Rezistenta la compresiune (MPa) | 1100 | |
| Rezistenta la tractiune (N/mm2) | 50 | |
| Rezistența la încovoiere (N/mm2) | 65 | |
| Rezistenta la torsiune (N/mm2) | 30 | |
| Modulul Young (MPa) | 7.2x104 | |
| coeficientul lui Poisson | 0.16 | |
| Proprietati termice | Coeficientul de dilatare termică (20~320℃,k-1) | 5.5x10-7 |
| Conductivitate termică (20℃, W·m-1k-1) | 1.4 | |
| Căldura specifică (20℃, J·kg-1k-1) | 670 | |
| Punct de înmuiere (℃) | 1700 | |
| Punct de recoacere (℃) | 1180 | |
| Punct de deformare (℃) | 1080 | |
| Proprietate electrică | Rezistivitate electrică (Ω·m) | 1x1016(20 ℃) |
| Constanta dielectrica (10GHz) | 3.74 | |
| Pierdere dielectrică (10 GHz) | 0.0002 | |
| Rigiditatea dielectrică (V·m-1) | 3.7x107 |
Aplicatii
Curățarea plachetelor: îndepărtarea fotorezistului, a reziduurilor și a contaminanților din soluțiile pe bază de H₃PO₄ post-gravare sau litografie.
Procese la temperatură înaltă: potrivite pentru etapele avansate de fabricare a semiconductoarelor care necesită chimie agresivă la temperaturi ridicate.
Compatibilitate: Ideal pentru sistemul WS-620C/ WS-820C/ WS-820L în fabrici care produc dispozitive logice, memorie sau alimentare.
